ایده ترکیب حافظه و ذخیره سازی در یک جزء برای مدت طولانی وجود داشته است، اما تا به حال، هیچ چیزی نزدیک به واقعیت نبوده است. با این حال، این ممکن است در حال تغییر باشد.
دانشمندان دپارتمان فیزیک و مهندسی دانشگاه لنکستر در بریتانیا اخیراً پیشرفتی در تحقیقات خود در مورد موضوع UltraRAM گزارش کرده‌اند، ایده‌ای بدیع که هم RAM و هم حافظه را به یک قطعه سخت‌افزار تبدیل می‌کند. به گفته تیمی از دانشمندان، ما بیش از آنچه به نظر می رسد به توانایی تولید UltraRAM نزدیک شده ایم.
طبقمقاله منتشر شده در این مورد (که سپس توسط Tom's Hardware گزارش شد )، UltraRAM فناوری است که پایداری و عدم فرار حافظه ذخیره سازی داده را با سرعت بالا و کارایی انرژی RAM ترکیب می کند . اگرچه هنوز چنین سخت افزاری تولید نشده است، اما باید امکان پذیر باشد – به همین دلیل است که قبلاً تلاش هایی برای ساخت چیزی در امتداد خطوط UltraRAM صورت گرفته است.
رم مدرن و SSDهای فوق سریع هر دو از فلش مموری استفاده می کنند، اما به طرق مختلف نیز از آن استفاده می کنند. حافظه رایانه فقط اطلاعاتی که در حال حاضر استفاده می شوند را ذخیره می کند و اطلاعات غیر دائمی را ذخیره می کند: اگر رایانه خود را خاموش کنید، همه داده ها ناپدید می شوند. از سوی دیگر، دستگاه های ذخیره سازی داده مانند SSD ها اطلاعات شما را به صورت دائمی ذخیره می کنند. این نوع حافظه به عنوان "غیر فرار" نامیده می شود.
در حالی که راه حل های حافظه و ذخیره سازی شباهت های خود را دارند، تلاش های موفقیت آمیزی برای ترکیب این دو صورت نگرفته است. یکی از نمونه های مشابه Intel Optane است که جایگزینی برای حافظه فلش است. با این حال، به نظر می رسد اینتل از آن دور می شود. این شرکت تمام محصولات Optane را که فقط مصرف کننده بود در سال 2021 متوقف کرد.
ایده UltraRAM ممکن است بر اساس تلاش‌های قبلی یک دلیل گمشده به نظر برسد، اما به گفته پنج فیزیکدان دانشگاه لنکستر که در حال تحقیق در مورد این موضوع هستند، می‌توان آن را ممکن کرد. UltraRAM نسل جدیدی از حافظه و ذخیره سازی را تعریف می کند که غیرفرار بوده و قادر به ذخیره داده ها برای مدت زمان طولانی است، اما همچنان به اندازه کافی سریع است تا جایگزین RAM شود.
دانشمندان این فرآیند را در مقاله خود توصیف کردند و نشان دادند که تولید ویفرهای سیلیکونی می تواند در محدوده احتمالی باشد. این فرآیند شامل استفاده از چاه‌های کوانتومی آرسنید ایندیوم (InAs) و موانع آنتی‌مونید آلومینیوم (AlSb) است. چاه های کوانتومی لایه های بسیار نازکی هستند که در آنها ذرات نمی توانند به سمت بالا یا پایین حرکت کنند اما می توانند در امتداد و در سراسر دو صفحه دیگر حرکت کنند. این چاه ها و موانع کوانتومی با هم یک ساختار تونل زنی تشدید سه گانه (TBRT) ایجاد می کنند. دانشمندان بر این باورند که با استفاده از این فناوری، UltraRAM می تواند برای انواع دستگاه های کامپیوتری به روشی ارزان تر و سریع تر از راه حل های فعلی تولید شود.
اگر قرار بود UltraRAM به جریان اصلی تبدیل شود، می‌توانست به این معنی باشد که به‌جای خرید جداگانه حافظه‌های رم و SSD یا HDD، می‌توانیم به سادگی یک قطعه با مقدار مشخصی فضای ذخیره‌سازی بخریم که هر دوی این نیازها را در هر رایانه شخصی برآورده می‌کند.
در حالی که این روی کاغذ عالی به نظر می رسد، قیمت گذاری چنین فناوری ممکن است برای بسیاری به یک مانع تبدیل شود. اگر UltraRAM مشابه راه‌حل‌های RAM/Storage کنونی قیمت نداشته باشد، فقط علاقه‌مندان می‌خواهند آن را امتحان کنند. تا زمانی که UltraRAM به چیزی بیش از یک موضوع مطالعه تبدیل شود، کارهای زیادی باید انجام داد و تحقیقات همچنان ادامه دارد.
